图像仅供参考，请参阅产品规格书

MOSFETs VBsemi IRLL024ZTR-VB

数量国内价格
10+ ￥1.35125

数量	国内价格
10+	￥1.35125

交货地：
1国内（含增税）交期（工作日）： 4-6工作日

库存：
1 450000（1起订）

合作库存的价格参考：
数量	国内含税
10+	￥1.35125

数量：

X1.35125（单价）

总价：

￥ 1.35125

加入购物车立即购买

品牌：VBsemi(微碧)
型号： IRLL024ZTR-VB
点击复制
商品编号： DS39679462
点击复制
封装规格： SOT223-3
点击复制
商品描述：台积电流片，长电封测。N沟道,60V,7A,RDS(ON),24mΩ@10V,27mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1~3Vth(V) 封装：SOT223-3

商品详情

热销型号1 / 3

图片	型号/品牌	描述	技术文档	库存	参考价格	对比	操作
	型号：IRLL024ZTR-VB 品牌：VBsemi(微碧)	MOSFETs VBsemi IRLL024ZTR-VB MOSFETs VBsemi IRLL024ZTR-VB	---	0（1起订）	¥1.35125 ▼ 数量国内含税 10 +￥1.35125	当前型号	加入购物车

IRLL024ZTR-VB 由 VBsemi 设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过等渠道进行代购。 IRLL024ZTR-VB 价格参考￥ 1.35125 。 VBsemi IRLL024ZTR-VB 封装/规格： SOT-223-3, 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):7A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):29mΩ@10V,7A;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;。你可以下载 IRLL024ZTR-VB 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程

手机版： IRLL024ZTR-VB

元器件商品 0

MOSFETs VBsemi IRLL024ZTR-VB

数量国内价格
10+ ￥1.35125

交货地：
1国内（含增税）交期（工作日）： 4-6工作日

库存：
1 450000（1起订）

品牌：VBsemi(微碧)
型号： IRLL024ZTR-VB
点击复制
商品编号： DS39679462
点击复制
封装规格： SOT223-3
点击复制
商品描述：台积电流片，长电封测。N沟道,60V,7A,RDS(ON),24mΩ@10V,27mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1~3Vth(V) 封装：SOT223-3

近似替代型号（推荐替代型号供参考，请核对商品参数后再下单）

元器件商品 0

MOSFETs VBsemi IRLL024ZTR-VB

数量国内价格10+ ￥1.35125

交货地： 1国内（含增税） 交期（工作日）： 4-6工作日

库存： 1 450000（1起订）

近似替代型号（ 推荐替代型号供参考，请核对商品参数后再下单 ）

数量国内价格
10+ ￥1.35125

交货地：
1国内（含增税）交期（工作日）： 4-6工作日

库存：
1 450000（1起订）

近似替代型号（推荐替代型号供参考，请核对商品参数后再下单）