• 品       牌：VBsemi(微碧)
• 型       号：BSH103-VB
• 商品编号：DS39662464
• 封装规格：SOT23-3
• 商品描述： 台积电流片，长电封测。一款单通道N沟道场效应晶体管（SingleN），采用Trench工艺制造。它的主要参数包括：最大漏极-源极电压（VDS）为30V，最大栅极-源极电压（VGS）为±20V，阈值电压（Vth）为1.7V，以及在不同栅极-源极电压下的导通电阻等。该器件采用SOT23-3封装，适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。 台积电流片，长电封测。一款单通道N沟道场效应晶体管（SingleN），采用Trench工艺制造。它的主要参数包括：最大漏极-源极电压（VDS）为30V，最大栅极-源极电压（VGS）为±20V，阈值电压（Vth）为1.7V，以及在不同栅极-源极电压下的导通电阻等。该器件采用SOT23-3封装，适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。