alternative text

图像仅供参考,请参阅产品规格书

  • https://www.hqchip.com/Public/img/nob.png

MOSFETs VBsemi VBL2610N

数量国内价格
10+ ¥2.5346

交货地:

1国内(含增税) 交期(工作日): 4-6工作日

库存:

1 140(1起订)

1 450000(1起订)

数量:
X2.5346(单价)
总价:
¥ 2.5346

  • 品       牌:VBsemi(微碧)
  • 型       号: VBL2610N
    点击复制
  • 商品编号: DS39670192
    点击复制
  • 封装规格: TO263
    点击复制
  • 商品描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-60V,-20A,RDS(ON),100mΩ@10V,120mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-3Vth(V) 封装:TO263适用于广泛的领域和模块,包括电源管理、电路保护、电机控制、电源逆变和汽车电子等,为各种应用提供稳定可靠的性能和高效能的操作。

  • 商品详情
热销型号1 / 3

近似替代型号( 推荐替代型号供参考,请核对商品参数后再下单 )

图片 型号/品牌 描述 技术文档 库存 参考价格 对比 操作
型号:VBL2610N

MOSFETs VBsemi VBL2610N
--- 0(1起订)

¥2.53460 ▼

数量国内含税

10 +¥2.53460

当前型号加入购物车

VBL2610NVBsemi 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 VBL2610N 价格参考¥ 2.5346 。 VBsemi VBL2610N 封装/规格: TO263-3, 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):30A;功率(Pd):60W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):64mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;。你可以下载 VBL2610N 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



手机版: VBL2610N

Copyright ©2012-2024 hqchip.com.All Rights Reserved 粤ICP备14022951号工商网监认证 工商网监 营业执照