• 品       牌：ST(意法半导体)
• 型       号： STM32H747XIH6
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• 商品编号： G5124080
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• 封装规格： TFBGA-265(14x14)
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• 商品描述： 特性：包含先进的专利技术。 双核：32位Arm Cortex-M7内核，具有双精度FPU和L1缓存（16KB数据缓存和16KB指令缓存），频率高达480MHz，具备MPU、1027 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和DSP指令；32位Arm Cortex-M4内核，具有FPU、自适应实时加速器（ART Accelerator），频率高达240MHz，具备MPU、300 DMIPS/1.25 DMIPS /MHz（Dhrystone 2.1）和DSP指令。 内存：高达2MB的闪存，支持读写同时进行；1MB的RAM，包括192KB的TCM RAM（含64KB的ITCM RAM + 128KB的DTCM RAM用于时间关键程序）、864KB的用户SRAM和4KB备份域的SRAM；双模式Quad-SPI内存接口，运行频率高达133MHz；灵活的外部内存控制器，具有高达32位的数据总线，支持SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存，同步模式下时钟频率高达125MHz；具备CRC计算单元。 安全：ROP、PC-ROP、主动防篡改。 通用输入/输出：多达168个具有中断功能的I/O端口。 复位和电源管理：3个独立的电源域，可独立进行时钟门控或关闭；1.62至3.6V的应用电源和I/O；POR、PDR、PVD和BOR；专用USB电源，内置3.3V内部稳压器为内部PHY供电；嵌入式稳压器（LDO）为数字电路供电；高效SMPS降压转换器稳压器，可直接为VCORE和/或外部电路供电；运行和停止模式下的电压缩放（6个可配置范围）；备份稳压器（约0.9V）；模拟外设的电压参考/VREF+；1.2至3.6V的电池供电；低功耗模式：睡眠、停止、待机和支持电池充电的VBAT模式。 低功耗：VBAT电池工作模式，具备充电能力；CPU和域电源状态监控引脚；待机模式下2.95μA（备份SRAM关闭，RTC/LSE开启）。 时钟管理：内部振荡器：64MHz HSI、48MHz HSI48、4MHz CSI、32kHz LSI；外部振荡器：4-48MHz HSE、32.768kHz LSE；3个PLL（1个用于系统时钟，2个用于内核时钟），具备分数模式 特性：包含先进的专利技术。 双核：32位Arm Cortex-M7内核，具有双精度FPU和L1缓存（16KB数据缓存和16KB指令缓存），频率高达480MHz，具备MPU、1027 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和DSP指令；32位Arm Cortex-M4内核，具有FPU、自适应实时加速器（ART Accelerator），频率高达240MHz，具备MPU、300 DMIPS/1.25 DMIPS /MHz（Dhrystone 2.1）和DSP指令。 内存：高达2MB的闪存，支持读写同时进行；1MB的RAM，包括192KB的TCM RAM（含64KB的ITCM RAM + 128KB的DTCM RAM用于时间关键程序）、864KB的用户SRAM和4KB备份域的SRAM；双模式Quad-SPI内存接口，运行频率高达133MHz；灵活的外部内存控制器，具有高达32位的数据总线，支持SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存，同步模式下时钟频率高达125MHz；具备CRC计算单元。 安全：ROP、PC-ROP、主动防篡改。 通用输入/输出：多达168个具有中断功能的I/O端口。 复位和电源管理：3个独立的电源域，可独立进行时钟门控或关闭；1.62至3.6V的应用电源和I/O；POR、PDR、PVD和BOR；专用USB电源，内置3.3V内部稳压器为内部PHY供电；嵌入式稳压器（LDO）为数字电路供电；高效SMPS降压转换器稳压器，可直接为VCORE和/或外部电路供电；运行和停止模式下的电压缩放（6个可配置范围）；备份稳压器（约0.9V）；模拟外设的电压参考/VREF+；1.2至3.6V的电池供电；低功耗模式：睡眠、停止、待机和支持电池充电的VBAT模式。 低功耗：VBAT电池工作模式，具备充电能力；CPU和域电源状态监控引脚；待机模式下2.95μA（备份SRAM关闭，RTC/LSE开启）。 时钟管理：内部振荡器：64MHz HSI、48MHz HSI48、4MHz CSI、32kHz LSI；外部振荡器：4-48MHz HSE、32.768kHz LSE；3个PLL（1个用于系统时钟，2个用于内核时钟），具备分数模式