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MOSFETs Vishay SI2365EDS-T1-GE3

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品牌：Vishay(威世)
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商品描述：场效应管(MOSFET) 1W；1.7W 20V 5.9A 1个P沟道 SOT-23-3

商品详情

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	型号：SI2365EDS-T1-GE3 品牌：Vishay(威世)	MOSFETs Vishay SI2365EDS-T1-GE3 MOSFETs Vishay SI2365EDS-T1-GE3	---	0（1起订）	¥0.91190 ▼ 数量国内含税 1 +￥0.91190 200 +￥0.62920 1500 +￥0.57200 3000 +￥0.53460	当前型号	加入购物车

SI2365EDS-T1-GE3 由 Vishay 设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过 rsfuture 等渠道进行代购。 SI2365EDS-T1-GE3 价格参考￥ 0.9119 。 Vishay SI2365EDS-T1-GE3 封装/规格： SOT-23, MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=4.5A RDS(ON)=32mΩ@4.5V SOT23-3。你可以下载 SI2365EDS-T1-GE3 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程

手机版： SI2365EDS-T1-GE3

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品牌：Vishay(威世)
型号： SI2365EDS-T1-GE3
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封装规格： TO-236
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商品描述：场效应管(MOSFET) 1W；1.7W 20V 5.9A 1个P沟道 SOT-23-3

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品 牌：Vishay(威世)型 号： SI2365EDS-T1-GE3 点击复制商品编号： DS0074272 点击复制封装规格： TO-236 点击复制商品描述： 场效应管(MOSFET) 1W；1.7W 20V 5.9A 1个P沟道 SOT-23-3 场效应管(MOSFET) 1W；1.7W 20V 5.9A 1个P沟道 SOT-23-3

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