• 品       牌：ST(意法半导体)
• 型       号：STB26NM60N
• 商品编号：DS0080637
• 封装规格：
• 商品描述： 封装: D2PAK(TO-263) 栅源极电压Vgs(Max): ±30V 连续漏极电流ID(25°C): 20A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）: 600 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 165mΩ @ 10A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 4V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 60 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 1800 pF @ 50 V 功率耗散(Max): 140W (Tc) 工作温度范围: 150℃ 安装类型: Surface Mount 系列: MDmesh™ II 封装: D2PAK(TO-263) 栅源极电压Vgs(Max): ±30V 连续漏极电流ID(25°C): 20A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）: 600 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 165mΩ @ 10A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 4V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 60 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 1800 pF @ 50 V 功率耗散(Max): 140W (Tc) 工作温度范围: 150℃ 安装类型: Surface Mount 系列: MDmesh™ II