• 品       牌：ST(意法半导体)
• 型       号：STP21NM60ND
• 商品编号：DS0077363
• 封装规格：
• 商品描述： 封装: TO220 栅源极电压Vgs(Max): ±25V 连续漏极电流ID(25°C): 17A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）: 600 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 220mΩ @ 8.5A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 5V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 60 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 1800 pF @ 50 V FET 功能: Current Sensing 功率耗散(Max): 140W (Tc) 工作温度范围: 150℃ 安装类型: Through Hole 系列: FDmesh™ II 封装: TO220 栅源极电压Vgs(Max): ±25V 连续漏极电流ID(25°C): 17A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）: 600 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 220mΩ @ 8.5A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 5V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 60 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 1800 pF @ 50 V FET 功能: Current Sensing 功率耗散(Max): 140W (Tc) 工作温度范围: 150℃ 安装类型: Through Hole 系列: FDmesh™ II