• 品       牌：ST(意法半导体)
• 型       号：STB100NH02LT4
• 商品编号：DS0090226
• 封装规格：
• 商品描述： 封装: D2PAK 栅源极电压Vgs(Max): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 60A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）: 24 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 6mΩ @ 30A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 1.8V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 64 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 2850 pF @ 15 V 功率耗散(Max): 100W (Tc) 工作温度范围: -55℃~175℃ 安装类型: Surface Mount 系列: STripFET™ III 封装: D2PAK 栅源极电压Vgs(Max): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 60A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）: 24 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 6mΩ @ 30A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 1.8V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 64 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 2850 pF @ 15 V 功率耗散(Max): 100W (Tc) 工作温度范围: -55℃~175℃ 安装类型: Surface Mount 系列: STripFET™ III