• 品       牌：ST(意法半导体)
• 型       号： IRF630
  点击复制
• 商品编号： G3522943
  点击复制
• 封装规格： TO-220
  点击复制
• 商品描述： 封装: TO-220(TO-220-3) 栅源极电压Vgs(Max): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 9A (Tc) FET通道极性: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 200V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 400 毫欧 @ 4.5A，10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 4V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 43 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 800 pF @ 25 V 功率耗散(Max): 75W（Tc） 工作温度范围: -65℃~150℃ 安装类型: 通孔 系列: MESH OVERLAY™ II 封装: TO-220(TO-220-3) 栅源极电压Vgs(Max): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 9A (Tc) FET通道极性: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 200V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 400 毫欧 @ 4.5A，10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 4V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 43 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 800 pF @ 25 V 功率耗散(Max): 75W（Tc） 工作温度范围: -65℃~150℃ 安装类型: 通孔 系列: MESH OVERLAY™ II