• 品       牌：ST(意法半导体)
• 型       号：STD2HNK60Z-1
• 商品编号：DS0076118
• 封装规格：
• 商品描述： 封装: TO-251(I-PAK) 栅源极电压Vgs(Max): ±30V 连续漏极电流ID(25°C): 2A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）: 600V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 4.8Ω @ 1A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 4.5V @ 50µA 栅极电荷@Vgs: 15 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 280 pF @ 25 V 功率耗散(Max): 45W (Tc) 工作温度范围: -55℃~150℃ 安装类型: Through Hole 系列: SuperMESH™ 封装: TO-251(I-PAK) 栅源极电压Vgs(Max): ±30V 连续漏极电流ID(25°C): 2A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）: 600V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 4.8Ω @ 1A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 4.5V @ 50µA 栅极电荷@Vgs: 15 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 280 pF @ 25 V 功率耗散(Max): 45W (Tc) 工作温度范围: -55℃~150℃ 安装类型: Through Hole 系列: SuperMESH™