• 品       牌：ST(意法半导体)
• 型       号：STD150N3LLH6
• 商品编号：DS0074813
• 封装规格：
• 商品描述： 封装: DPAK 栅源极电压Vgs(Max): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 80A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）: 30 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 2.8mΩ @ 40A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 2.5V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 29 nC @ 4.5 V 输入电容(Max)@Vds: 3700 pF @ 25 V 功率耗散(Max): 110W (Tc) 工作温度范围: 175℃ 安装类型: Surface Mount 系列: DeepGATE™, STripFET™ VI 封装: DPAK 栅源极电压Vgs(Max): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 80A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）: 30 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 2.8mΩ @ 40A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 2.5V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 29 nC @ 4.5 V 输入电容(Max)@Vds: 3700 pF @ 25 V 功率耗散(Max): 110W (Tc) 工作温度范围: 175℃ 安装类型: Surface Mount 系列: DeepGATE™, STripFET™ VI