• 品       牌：ST(意法半导体)
• 型       号： STP10N60M2
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• 商品编号： G3522333
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• 封装规格： TO-220
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• 商品描述： 封装: TO220 栅源极电压Vgs(Max): ±25V 连续漏极电流ID(25°C): 7.5A FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）: 600 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 600mΩ @ 3A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 4V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 13.5 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 400 pF @ 100 V 功率耗散(Max): 85W (Tc) 工作温度范围: -55℃~150℃ 安装类型: Through Hole 系列: MDmesh™ II Plus 封装: TO220 栅源极电压Vgs(Max): ±25V 连续漏极电流ID(25°C): 7.5A FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）: 600 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 600mΩ @ 3A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 4V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 13.5 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 400 pF @ 100 V 功率耗散(Max): 85W (Tc) 工作温度范围: -55℃~150℃ 安装类型: Through Hole 系列: MDmesh™ II Plus