• 品       牌：ON(安森美)
• 型       号： FDMC8010
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• 商品编号： G3820228
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• 封装规格： RL
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• 商品描述： 封装: PQFN-8 栅源极电压Vgs(Max): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 30A (Ta), 75A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）: 30V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 1.3mΩ @ 30A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 2.5V @ 1mA 栅极电荷@Vgs: 94 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 5860 pF @ 15 V 功率耗散(Max): 2.4W (Ta), 54W (Tc) 工作温度范围: -55℃~150℃ 安装类型: Surface Mount 系列: PowerTrench® 封装: PQFN-8 栅源极电压Vgs(Max): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 30A (Ta), 75A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）: 30V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 1.3mΩ @ 30A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 2.5V @ 1mA 栅极电荷@Vgs: 94 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 5860 pF @ 15 V 功率耗散(Max): 2.4W (Ta), 54W (Tc) 工作温度范围: -55℃~150℃ 安装类型: Surface Mount 系列: PowerTrench®