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MOSFETs NCE NCEP058N85D

数量国内价格
10+ ¥4.9203
100+ ¥3.6798
400+ ¥2.853
800+ ¥2.0673
1600+ ¥1.9639
8000+ ¥1.8193

  • 品       牌:NCE(新洁能)
  • 型       号: NCEP058N85D
  • 商品编号: G11696092
  • 封装规格: TO-263
  • 商品描述: 场效应管(MOSFET) NCEP058N85D TO-263

  • 商品详情

商品介绍

场效应管(MOSFET) NCEP058N85D TO-263

标准包装

标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时,包装类型(即卷、管、盘)可能会发生变化,以实际包装交货为准。
热销型号1 / 3
数据手册
型号:HQT-I01
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥19.9
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型号:HQT-T02
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥25.00331
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数据手册
品牌:Yageo
封装/规格:0603
¥0.01054
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型号:0603B104K500NT
品牌:FH
封装/规格:0603
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型号:CL10B104KB8NNNC
品牌:Samsung
封装/规格:0603
¥0.01319
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图片 型号/品牌 描述 技术文档 库存 参考价格 对比 操作
型号:NCEP058N85D

MOSFETs NCE NCEP058N85D
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100 +¥3.67980

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NCEP058N85DNCE 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 NCEP058N85D 价格参考¥ 4.9203 。 NCE NCEP058N85D 封装/规格: TO-263(D²Pak), 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):85V;连续漏极电流(Id):95A;功率(Pd):125W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.2mΩ@10V,45A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):67nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):3.55nF@40V;反向传输电容(Crss@Vds):22pF@40V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj);。你可以下载 NCEP058N85D 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



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