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IGBT ST STGF30M65DF2

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品牌：ST(意法半导体)
型号：STGF30M65DF2
商品编号：DS5583274
封装规格：TO-220FP-3
商品描述：沟槽栅场截止IGBT，M系列，650 V、30 A，低损耗

商品详情

热销型号1 / 3

图片	型号/品牌	描述	技术文档	库存	参考价格	对比	操作
	型号：STGF30M65DF2 品牌：ST(意法半导体)	IGBT ST STGF30M65DF2 IGBT ST STGF30M65DF2	---	0（1起订）	¥11.80203 ▼ 数量国内含税 1 +￥11.80203 10 +￥11.27553 30 +￥10.95542	当前型号	加入购物车

STGF30M65DF2 由 ST 设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过等渠道进行代购。 STGF30M65DF2 价格参考￥ 11.80203 。 ST STGF30M65DF2 封装/规格： TO-220-3, IGBT 沟槽型场截止 650 V 60 A 38 W 通孔 TO-220FP。你可以下载 STGF30M65DF2 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 IGBT 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程

手机版： STGF30M65DF2

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品牌：ST(意法半导体)
型号：STGF30M65DF2
商品编号：DS5583274
封装规格：TO-220FP-3
商品描述：沟槽栅场截止IGBT，M系列，650 V、30 A，低损耗

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品 牌：ST(意法半导体)型 号：STGF30M65DF2商品编号：DS5583274封装规格：TO-220FP-3商品描述： 沟槽栅场截止IGBT，M系列，650 V、30 A，低损耗 沟槽栅场截止IGBT，M系列，650 V、30 A，低损耗

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品牌：ST(意法半导体)
型号：STGF30M65DF2
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商品描述：沟槽栅场截止IGBT，M系列，650 V、30 A，低损耗

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