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MOSFETs HUAYI HYG025N06LS1D

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  • 品       牌:HUAYI(华羿微)
  • 型       号: HYG025N06LS1D
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  • 商品编号: DS39686355
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  • 封装规格: TO-252-2
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型号:HYG025N06LS1D

MOSFETs HUAYI HYG025N06LS1D
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HYG025N06LS1DHUAYI 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HYG025N06LS1D 价格参考¥ 3.4344 。 HUAYI HYG025N06LS1D 封装/规格: TO-252-2(DPAK), 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):160A;功率(Pd):125W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.6mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.1V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):58.3nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):3.915nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):10.2pF@25V;工作温度:+175℃@(Tj);。你可以下载 HYG025N06LS1D 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



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