商品描述: 800 V SUPERFET III MOSFET是安森美半导体的高性能MOSFET系列,提供800 V的击穿电压。全新的800 V SUPERFET III MOSFET针对反激式转换器的初级开关进行了优化,凭借其优化设计,在不牺牲EMI性能的前提下,可降低开关损耗和外壳温度。此外,内部齐纳二极管显著提高了ESD能力 800 V SUPERFET III MOSFET是安森美半导体的高性能MOSFET系列,提供800 V的击穿电压。全新的800 V SUPERFET III MOSFET针对反激式转换器的初级开关进行了优化,凭借其优化设计,在不牺牲EMI性能的前提下,可降低开关损耗和外壳温度。此外,内部齐纳二极管显著提高了ESD能力