• 品       牌：HGSEMI(华冠)
• 型       号： 74HC02N
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• 商品编号：
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• 封装规格： DIP-14
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• 商品描述： 特性：输出驱动能力：10个低功耗肖特基TTL负载。 输出可直接与CMOS、NMOS和TTL接口。 工作电压范围：2.0至6.0V。 低输入电流：1.0A。 具有CMOS器件的高抗噪特性。 符合JEDEC标准7A的要求。 ESD性能：人体模型2000V；机器模型200V。 芯片复杂度：40个场效应晶体管或10个等效门。 这些是无铅器件 特性：输出驱动能力：10个低功耗肖特基TTL负载。 输出可直接与CMOS、NMOS和TTL接口。 工作电压范围：2.0至6.0V。 低输入电流：1.0A。 具有CMOS器件的高抗噪特性。 符合JEDEC标准7A的要求。 ESD性能：人体模型2000V；机器模型200V。 芯片复杂度：40个场效应晶体管或10个等效门。 这些是无铅器件