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MOSFETs Infineon IPP041N04N G

品牌：Infineon(英飞凌)
型号： IPP041N04N G
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商品编号： DS39668320
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封装规格： TO-220
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商品描述： N沟道 40V 80A N沟道 40V 80A

商品详情

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	型号：IPP041N04N G 品牌：Infineon(英飞凌)	MOSFETs Infineon IPP041N04N G MOSFETs Infineon IPP041N04N G	---	0（1起订）	---	当前型号	询价

IPP041N04N G 由 Infineon 设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过等渠道进行代购。 IPP041N04N G 价格参考￥ 0 。 Infineon IPP041N04N G 封装/规格： TO-220-3, 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):94W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.1mΩ@10V,80A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@45uA;。你可以下载 IPP041N04N G 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程

手机版： IPP041N04N G

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MOSFETs Infineon IPP041N04N G

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型号： IPP041N04N G
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封装规格： TO-220
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